Flyback Converter 설계 절차

 

 

 

플라이백 컨버터 설계 절차

플라이백 컨버터(Flyback Converter)는 전력전자에서 널리 사용되는 DC-DC 컨버터로, 간단한 구조와 전기적 절연을 제공하는 장점 때문에 다양한 응용 분야에서 활용됩니다. 아래는 플라이백 컨버터 설계 절차를 상세히 설명한 단계별 가이드입니다.

1. 설계 사양 정의

플라이백 컨버터 설계를 시작하기 전에 입력 및 출력 사양을 명확히 정의해야 합니다. 주요 사양은 다음과 같습니다:

• 입력 전압 범위: \( V_{in,min} \), \( V_{in,max} \) (예: 85V~265V AC 또는 12V~24V DC)
• 출력 전압: \( V_o \) (예: 12V)
• 출력 전력: \( P_o \) (예: 60W)
• 출력 전류: \( I_o \) (예: 5A)
• 스위칭 주파수: \( f_s \) (예: 100kHz)
• 효율 목표: \( \eta \) (예: 85%)
• 운영 모드: 연속 전도 모드(CCM) 또는 불연속 전도 모드(DCM)
• 절연 여부: 1차측과 2차측 간 절연 요구사항
• 부하 조건: 정격 부하, 최소 부하, 과부하 조건 등
• 환경 조건: 동작 온도, 냉각 방식(자연 대류, 강제 공냉 등)

예시 사양:
입력 전압: \( V_{in} = 18V \sim 36V \) (DC)
출력 전압: \( V_o = 12V \)
출력 전력: \( P_o = 60W \)
스위칭 주파수: \( f_s = 100kHz \)
효율: \( \eta = 85\% \)
모드: DCM (불연속 전도 모드)

2. 트랜스포머 설계

플라이백 컨버터의 핵심 구성 요소는 절연 트랜스포머입니다. 트랜스포머 설계는 효율, 크기, 비용에 큰 영향을 미치므로 신중히 진행해야 합니다.

2.1. 턴 비율(\( N_p:N_s \)) 계산

턴 비율은 1차측 권선(\( N_p \))과 2차측 권선(\( N_s \))의 비율로, 출력 전압과 입력 전압의 관계를 결정합니다. 턴 비율은 다음과 같이 계산됩니다:

\[ N = \frac{N_p}{N_s} = \frac{V_{in,min} \cdot D_{max}}{V_o + V_d} \]

여기서:

• \( V_{in,min} \): 최소 입력 전압
• \( D_{max} \): 최대 듀티 사이클 (보통 0.4~0.5로 설정, DCM에서는 더 낮을 수 있음)
• \( V_o \): 출력 전압
• \( V_d \): 2차측 다이오드의 순방향 전압 강하 (예: 0.7V for Schottky)

예시:
\( V_{in,min} = 18V \), \( V_o = 12V \), \( V_d = 0.7V \), \( D_{max} = 0.45 \)
\( N = \frac{18 \cdot 0.45}{12 + 0.7} = \frac{8.1}{12.7} \approx 0.638 \)
턴 비율 \( N_p:N_s = 1:1.57 \) (예: \( N_p = 10 \), \( N_s = 15.7 \approx 16 \))

2.2. 1차측 인덕턴스(\( L_p \)) 계산

DCM에서는 1차측 인덕턴스가 중요하며, 출력 전력과 스위칭 주파수에 따라 결정됩니다. 1차측 인덕턴스는 다음과 같이 계산합니다:

\[ L_p = \frac{(V_{in,min} \cdot D_{max})^2}{2 \cdot P_{in} \cdot f_s} \]

여기서:

• \( P_{in} = \frac{P_o}{\eta} \): 입력 전력 (효율 고려)
• \( f_s \): 스위칭 주파수

예시:
\( P_o = 60W \), \( \eta = 0.85 \), \( f_s = 100kHz \), \( V_{in,min} = 18V \), \( D_{max} = 0.45 \)
\( P_{in} = \frac{60}{0.85} \approx 70.59W \)
\( L_p = \frac{(18 \cdot 0.45)^2}{2 \cdot 70.59 \cdot 100 \cdot 10^3} = \frac{65.61}{14.118 \cdot 10^6} \approx 4.65\mu H \)

2.3. 코어 선택

트랜스포머 코어는 전력 처리 용량과 주파수에 따라 선택됩니다. 일반적으로 페라이트 코어(예: EE, ETD, PQ 코어)를 사용합니다. 코어 선택 시 고려할 요소:

• 전력 처리 용량: \( P_o \)와 효율을 고려한 코어 크기
• 자속 밀도: 최대 자속 밀도 \( B_{max} \) (보통 0.2~0.3T로 설정)
• 코어 손실: 주파수에 따른 코어 손실 최소화

면적 곱(Area Product, AP) 공식을 사용하여 적절한 코어를 선택:

\[ AP = A_e \cdot A_w = \frac{P_o \cdot 10^4}{K \cdot B_{max} \cdot f_s \cdot J} \]

• \( A_e \): 유효 단면적 (\( cm^2 \))
• \( A_w \): 권선 창 면적 (\( cm^2 \))
• \( K \): 권선 충전율 (보통 0.4~0.6)
• \( J \): 전류 밀도 (보통 4~6 A/mm²)

2.4. 권선 설계

• 1차 권선 수: \( N_p = \frac{V_{in,min} \cdot D_{max}}{A_e \cdot B_{max} \cdot f_s} \)
• 2차 권선 수: \( N_s = \frac{N_p}{N} \)
• 와이어 선택: 전류 밀도와 스킨 효과를 고려하여 적절한 AWG 와이어 선택
• 절연: 1차측과 2차측 간 절연 요구사항 충족 (예: UL, IEC 규격)

3. 스위치(MOSFET) 선택

플라이백 컨버터의 스위치는 주로 MOSFET을 사용하며, 다음과 같은 사양을 고려합니다:

• 전압 정격: \( V_{DS} \geq V_{in,max} + V_{spike} \)
  • \( V_{spike} \): 트랜스포머 누설 인덕턴스로 인한 전압 스파이크 (스너버 회로로 완화)
• 전류 정격: \( I_{D} \geq I_{p,peak} \)
  • 1차측 피크 전류: \( I_{p,peak} = \frac{2 \cdot P_{in}}{V_{in,min} \cdot D_{max}} \)
• RDS(on): 낮은 온 저항으로 전도 손실 최소화
• 스위칭 속도: 빠른 스위칭으로 스위칭 손실 최소화

예시:
\( V_{in,max} = 36V \), \( V_{spike} \approx 50V \)
\( V_{DS} \geq 86V \) → 100V 정격 MOSFET 선택
\( I_{p,peak} = \frac{2 \cdot 70.59}{18 \cdot 0.45} \approx 17.4A \) → 20A 정격 MOSFET 선택

4. 출력 다이오드 선택

2차측 다이오드는 출력 전류와 전압을 처리해야 합니다:

• 전압 정격: \( V_R \geq V_o + V_{in,max} \cdot \frac{N_s}{N_p} \)
• 전류 정격: \( I_F \geq I_{o,peak} \) (DCM에서는 피크 전류가 높음)
• 유형: 빠른 복구 시간과 낮은 순방향 전압 강하를 가진 Schottky 다이오드 선호

예시:
\( V_R \geq 12 + 36 \cdot \frac{16}{10} \approx 69.6V \) → 100V 정격 다이오드
\( I_{o,peak} \approx \frac{2 \cdot P_o}{V_o} = \frac{2 \cdot 60}{12} = 10A \) → 15A 정격 다이오드

5. 출력 커패시터 설계

출력 커패시터는 리플 전압을 줄이고 안정적인 출력 전압을 제공합니다:

• 커패시턴스 계산:\[ C_o = \frac{I_o \cdot (1 - D_{max})}{f_s \cdot \Delta V_o} \]
• \( \Delta V_o \): 허용 리플 전압 (예: \( V_o \)의 1~2%)
• ESR 고려: 낮은 ESR로 리플 전류 처리
• 전압 정격: \( V_o + \text{마진} \)

예시:
\( I_o = 5A \), \( D_{max} = 0.45 \), \( f_s = 100kHz \), \( \Delta V_o = 0.12V \) (1% of 12V)
\( C_o = \frac{5 \cdot (1 - 0.45)}{100 \cdot 10^3 \cdot 0.12} \approx 229.17\mu F \) → 330μF 선택

6. 스너버 회로 설계

트랜스포머 누설 인덕턴스로 인한 전압 스파이크를 억제하기 위해 RCD 스너버 회로를 설계합니다:

• 스너버 커패시터: \( C_{sn} = \frac{I_{p,peak} \cdot t_{rise}}{V_{sn}} \)
• 스너버 저항: \( R_{sn} = \frac{V_{sn}^2}{P_{sn}} \)
• \( V_{sn} \): 스너버 전압, \( P_{sn} \): 누설 인덕턴스 손실

7. 제어 회로 설계

• PWM 컨트롤러: UC384X 시리즈 또는 현대적인 IC 사용
• 피드백 루프: 옵토커플러를 사용한 절연 피드백 설계
• 보상 네트워크: 안정적인 동작을 위해 Type II 또는 Type III 보상 회로 설계

8. 시뮬레이션 및 검증

• 시뮬레이션: LTspice, PSpice 등을 사용하여 회로 시뮬레이션
• 검증 항목: 출력 전압 안정성, 리플, 효율, 열적 성능
• 스트레스 테스트: 최대/최소 입력 전압, 부하 조건 테스트

9. PCB 레이아웃 및 제작

• 레이아웃 고려사항:
  • 고전류 경로 최소화
  • 1차측과 2차측 절연 유지
  • 스위칭 노드의 기생 인덕턴스 최소화
• 열 관리: MOSFET, 다이오드, 트랜스포머의 방열 설계

10. 테스트 및 최적화

• 테스트 항목:
  • 출력 전압 및 전류 안정성
  • 효율 측정
  • 열적 성능 확인
  • EMI/EMC 테스트
• 최적화: 필요 시 스너버, 커패시터, 인덕터 값 조정

추가 고려사항

• EMI 필터: 입력단에 EMI 필터 추가로 전자파 간섭 최소화
• 보호 회로: 과전압, 과전류, 단락 보호 설계
• 규격 준수: UL, CE, FCC 등 관련 표준 준수

이 설계 절차는 일반적인 플라이백 컨버터 설계를 위한 가이드이며, 특정 응용 분야나 요구사항에 따라 세부 사항이 달라질 수 있습니다.